VNPN激光辐射效应模拟分析

• 作者: 刘承芳 夏云 孙鹏 左慧玲 陈万军 高吴昊
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 激光辐照效应 半导体器件 初始光生电流 非线性
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-46
• 页数: 6页
• 分类号: TN306
• 字数: 5402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0610

摘要

通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应.光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式.因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化.改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
2	夏云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	12	1.0	3.0
3	孙鹏	中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心	6	15	2.0	3.0
7	刘承芳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
8	高吴昊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
9	左慧玲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0