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摘要:
采用第一性原理方法对不同连接构型的铬卟啉分子电子自旋输运性质进行计算分析.结果表明,对角连接构型的铬卟啉分子在0~0.2 V偏压区间范围内的自旋极化率高达95%以上,水平连接构型的导电性能比对角连接高约1个数量级.说明改变铬卟啉分子连接构型,可以改变电子自旋前线分子轨道分布和输运路径,从而实现其自旋过滤效应,对基于不同连接构型的铬卟啉分子器件的电子自旋输运性质进行有效调控.
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文献信息
篇名 连接构型对铬卟啉分子自旋过滤效应的调控
来源期刊 吉首大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 铬卟啉分子 电子自旋输运 连接构型 自旋过滤效应
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 物理与电子
研究方向 页码范围 36-42
页数 7页 分类号 TM344.1
字数 5205字 语种 中文
DOI 10.13438/j.cnki.jdzk.2019.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶伏秋 吉首大学物理与机电工程学院 17 37 3.0 5.0
2 李美华 吉首大学物理与机电工程学院 1 0 0.0 0.0
3 张军 吉首大学物理与机电工程学院 4 5 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
铬卟啉分子
电子自旋输运
连接构型
自旋过滤效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
吉首大学学报(自然科学版)
双月刊
1007-2985
43-1253/N
大16开
湖南省吉首市
1980
chi
出版文献量(篇)
2943
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10461
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