基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 半导体技术 碳化硅 高可靠性 半导体器件 可靠性测试 第三代 生产工艺
• 年，卷（期）: bpqsj_2019,（1）
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1

摘要

近十年来,第三代半导体技术已趋于成熟。碳化桂作为第三代半导体器件的重要代表,已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化挂MOSFET,助推国内第三代半导体技术发展。基本半导体1200V碳化硅MOSFET采用4寸平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。