日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计

• 作者: 叶嗣荣 周勋 樊鹏 申志辉 罗木昌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外焦平面探测器 读出电路 抗辐射加固 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 157-160,165
• 页数: 5页
• 分类号: TN23
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.02.002

摘要

设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计.对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150 krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1 MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗木昌		13	78	5.0	8.0
2	周勋		21	79	5.0	8.0
3	叶嗣荣		15	64	4.0	8.0
4	申志辉		7	7	2.0	2.0
5	樊鹏		2	0	0.0	0.0