g-C3N4量子点修饰球形Bi2WO6及其光催化活性增强机制

• 作者: 付峰 张开来 张鑫 杨晓 王丹军 赵强 赵芳丽 郭莉
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 三维Bi2WO6 量子点修饰 Z-型g-C3N4/Bi2WO6 活性增强机理
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 128-134
• 页数: 7页
• 分类号: O614.41
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2018.000459

摘要

采用水热法制备三维分级结构Bi2WO6,在此基础上采用浸渍-焙烧法将g-C3 N4量子点成功沉积在Bi2WO6的表面,获得Z-型结构g-C3N4/Bi2WO6光催化剂.采用XRD,FE-SEM,TEM,UV Vis DRS测试手段对催化材料的组成、形貌和光吸收特性进行表征.以亚甲基蓝(MB)和对硝基苯酚(p-NPh)为模型污染物,考察g-C3N4量子点表面修饰对Bi2WO6光催化活性的影响.结果 表明:所得Bi2WO6为三维分级多孔结构,孔尺寸约为10nm,浸渍-焙烧法可将尺寸约5nm的g-C3N4量子点沉积在其二级结构纳米片表面.Z-型结构g-C3N4/Bi2WO6光催化剂的催化活性优于纯Bi2WO6的,且10％g-C3N4/Bi2WO6(质量分数)异质光催化剂对MB的降解表观速率常数(kapp)分别为纯Bi2WO6和g-C3N4的4.5倍和5.8倍,对p-NPh的kapp分别为纯Bi2WO6和g-C3N4的2.6倍和1.6倍.O2·-是光催化过程中的主要活性物种.g-C3 N4量子点与Bi2 WO6形成异质结,有利于拓宽光响应范围的同时有效抑制了Bi2 WO6光生电子与空穴的复合,从而提高了催化剂的活性.