一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

• 作者: 周万礼 张有润 张波 甄少伟 章玉飞 胡怀志 路统霄
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 跨阻放大器 高电源抑制比 高带宽 APD阵列读出电路
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0606

摘要

光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成.跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能.基于0.18 μm CMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器.基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实现了高增益和高带宽;设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器,提高了跨阻放大器的稳定性.仿真结果表明:跨阻增益为104.7 dB·Ω,带宽为198.8 MHz,等效输入噪声电流为3.65 pA· Hz-1/2,低频电源抑制比为-57.8 dB,全带宽范围内电源抑制比低于-10.6dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甄少伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	122	6.0	9.0
2	张有润	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	167	3.0	10.0
3	路统霄	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	章玉飞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	周万礼	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	胡怀志	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0