硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+ 中近红外余辉的增强及陷阱分布分析

• 作者: 严丽萍 张聪 潘再法 王锴 邵康
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+ 长余辉 不等价掺杂 陷阱分布
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 983-990
• 页数: 8页
• 分类号: TQ174
• 字数: 4018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20180586

摘要

本论文基于硅铬共掺杂,合成得到了一种尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+.实验采用高温固相法,按照设计的化学计量比精确称量ZnO、Ga2O3、SiO2和Cr2O3等原料,制备了一系列硅铬共掺杂的镓酸锌尖晶石长余辉材料,其化学式为Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+(x=0,0.1,0.15,0.2,0.5,1).实验结果表明:采用硅铬共掺杂方式后,引入合适浓度的硅离子可有效改善余辉性能.当x=0.2时,样品余辉强度最佳,相比ZnGa2O4:Cr3+增强了3倍,并且余辉持续时间长达24 h.进一步的陷阱分布分析表明,在ZnGa2O4基质基础上引入硅掺杂,可有效调控不同陷阱深度的分布.即在丰富的反位缺陷基础上,硅的共掺杂可增加不等价替换缺陷和填隙缺陷等,并可调控禁带宽度及缺陷形成,从而实现改善余辉性能的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘再法	浙江工业大学化学工程学院	42	192	8.0	11.0
2	张聪	浙江工业大学化学工程学院	4	18	2.0	4.0
3	严丽萍	浙江工业大学化学工程学院	5	10	1.0	3.0
4	邵康	浙江工业大学化学工程学院	6	3	1.0	1.0
5	王锴	浙江工业大学化学工程学院	5	3	1.0	1.0