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摘要:
抛光压力是影响化学机械抛光(CMP)效果的重要参数之一,为了更精准地控制抛光头加载压力和实时监测压力,通过分析压力加载和获取的方法,应用最小二乘法对压力进行校准,在实际加工中取得了理想的效果,实现了更好的工艺性能.
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文献信息
篇名 CMP抛光压力校准的研究与应用
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 化学机械抛光 抛光压力校准 精准控制 实时监测
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 半导体制造工艺与设备
研究方向 页码范围 29-31
页数 3页 分类号 TN305
字数 1560字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘志伟 中国电子科技集团公司第四十五研究所 9 21 2.0 4.0
2 杨元元 中国电子科技集团公司第四十五研究所 6 15 2.0 3.0
3 孟晓云 中国电子科技集团公司第四十五研究所 2 2 1.0 1.0
4 孔宪越 中国电子科技集团公司第四十五研究所 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
抛光压力校准
精准控制
实时监测
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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