化学机械抛光后清洗工艺对多孔低k介质的影响

• 作者: 刘宜霖 杨柳 檀柏梅 王慧 王昊 藏俊生 韩春宇 高宝红
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔绝缘介质 化学机械抛光 碱性清洗 相对介电常数 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 338-343
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2019.08.002

摘要

对多孔低k介质BD(Black Diamond)光片化学机械抛光(CMP)后,采用由150 mg/L FA/O II型螯合剂与750 mg/L FA/O II型表面活性剂组成的碱性清洗液(pH = 10.4)进行清洗.探究了清洗过程中刷子间距、刷子转速,以及清洗液和去离子水刷洗时间对BD的k值和清洗效果的影响.得到较优的清洗工艺条件为:刷子间距?0.5 mm,刷子转速200 r/min,清洗液刷洗时间40 s,去离子水刷洗时间75 s.在该条件下的清洗效果良好,BD表面粗糙度为0.24 nm,k值的变化率低于5%.