一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路

• 作者: 冯旭东 张宣 张春奇 明鑫 潘溯 胡黎
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 电平位移电路 高速、高共模噪声抗扰 增强型GaN 高压半桥栅驱动
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 12-15,28
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0604

摘要

介绍了一种应用于GaN驱动的0.35 μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路.该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力.该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动.仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1.15 ns,可承受GaN高压半桥栅驱动开关节点SW处电压浮动50 V/ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	明鑫	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	207	7.0	12.0
2	张宣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
3	张春奇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	胡黎	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	0	0.0	0.0
5	潘溯	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	冯旭东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	0	0.0	0.0