基于TSV技术的CMP工艺优化研究

• 作者: 刘宜霖 刘小洁 张康 李婷 高跃昕
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔技术 化学机械平坦化 通孔 工艺匹配
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术与设备
• 页码范围: 1-4,64
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.04.001

摘要

TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法.基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除速率高、抛光时间可控、碎片风险小、选择比低、凹陷及凸起缺陷少等特点,铜的去除率大于1 000 nm/min,铜凹陷小于15 nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均匀度小于5％,可满足TSV工艺技术中晶圆表面的平坦化需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李婷	中国电子科技集团公司第四十五研究所	3	1	1.0	1.0
2	张康	中国电子科技集团公司第四十五研究所	1	0	0.0	0.0
3	刘小洁	中国电子科技集团公司第四十五研究所	1	0	0.0	0.0
4	高跃昕	中国电子科技集团公司第四十五研究所	1	0	0.0	0.0
5	刘宜霖	中国电子科技集团公司第四十五研究所	1	0	0.0	0.0