毫米波单片平衡放大器

• 作者: 彭龙新 贾晨阳 韩方彬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波 平衡式单片放大器 GaAs pHEMT Lange桥
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 72-77
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 字数: 1457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.01.012

摘要

研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片.放大器基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大.采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率.设计时结合pHEMT晶体管小信号和大信号模型,采用自偏和RLC并联负反馈结构,在减小芯片面积的同时提高了电路的稳定性.放大器芯片尺寸仅1.6 mm×1.6 mm,在工作频率26～40 GHz内,测试结果表明:输入、 输出驻波比小于1.5,增益在11 dB附近,平坦度在±0.5 dB,1 dB增益压缩输出功率大于11 dBm.测试结果验证了设计的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭龙新		21	143	7.0	11.0
2	贾晨阳		1	2	1.0	1.0
3	韩方彬		1	2	1.0	1.0