掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性

• 作者: 张华林 马瑞
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯纳米带 菱形BN片 掺杂
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 99-105
• 页数: 7页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: l0.19596/j.cnki.1001-246x.7803

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性.掺杂使扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs)的带隙增大,不同位置掺杂AGNRs的带隙大小略有差异.在无磁性态,无论是否掺杂,锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)都为金属.在铁磁态,掺杂使ZGNRs由金属转变为半导体.而处于反铁磁态时,无论是否掺杂,ZGNRs都为半导体,掺杂使其带隙发生改变.掺杂的AGNRs和ZGNRs的结构稳定,掺杂ZGNRs的基态为反铁磁态.掺杂菱形BN片可以有效调控GNRs的电子特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑞		69	475	12.0	18.0
2	张华林		14	79	4.0	8.0