C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

• 作者: 伏春平 夏继宏 孙凌涛 程正富 黄浩
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SnO2 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 127-130,136
• 页数: 5页
• 分类号: O562
• 字数: 3402字
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布.结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109 eV、1.86 eV、1.214 eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献;C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏继宏	重庆文理学院物理系	24	33	3.0	4.0
2	程正富	重庆文理学院物理系	80	302	8.0	14.0
3	黄浩	重庆文理学院物理系	7	8	2.0	2.0
4	伏春平	重庆文理学院物理系	29	77	5.0	7.0
5	孙凌涛	重庆文理学院物理系	17	48	5.0	6.0