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摘要:
为获得高频信号源,采用0.13μm的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52 GHz平衡式二倍频器.二倍频器采用了差分共射-共基结构,且在输入端采用了一个单端转差分的巴伦,并利用二次谐波反射器减小反馈到输入的二次谐波对输出信号的影响,有效地提高了二次谐波输出功率.探针台测试结果表明,巴伦在20~26.5 GHz范围内的插入损耗约为1dB,且当二倍频器输入26 GHz信号,功率为0.5 dBm时,输出的52 GHz信号功率达到2.3 dBm,相应的基频抑制达到34 dBc,直流功耗约为21.8 mW,相应的功率附加效率为2.5%.这种二倍频器在达到高输出功率和高基波抑制的同时保持了较低的功耗.
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文献信息
篇名 52 GHz平衡式二倍频器设计
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 二倍频器 锗硅 异质结双极晶体管 二次谐波反射器
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 160-166
页数 7页 分类号 TN771
字数 2137字 语种 中文
DOI 10.19665/j.issn1001-2400.2019.03.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 卢煜旻 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2 1 1.0 1.0
10 余文敏 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
二倍频器
锗硅
异质结双极晶体管
二次谐波反射器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
出版文献量(篇)
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