二维二元碳化硅纳米结构的等离激元激发

• 作者: 尹海峰 曾春花 陈文经
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离激元 二维二元碳化硅 含时密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 603-609
• 页数: 7页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7905

摘要

基于含时密度泛函理论,研究两种构型的二维二元碳化硅(SiC)纳米结构的等离激元激发.SiC纳米结构有两个等离激元共振带.由于键长的改变,相对于硅烯纳米结构和石墨烯纳米结构,SiC纳米结构的两个等离激元共振带分别发生蓝移和红移.一种SiC纳米结构的等离激元共振激发依赖于边界的构型和纳米结构形貌;另一种SiC纳米结构的等离激元共振激发对于边界构型和纳米结构形貌的依赖性降低.沿不同方向激发时,等离激元共振特性基本相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾春花		6	0	0.0	0.0
2	尹海峰		3	0	0.0	0.0
3	陈文经		1	0	0.0	0.0