长脉宽、大占空比的GaN高效率功率器件研制

• 作者: 余若祺 倪涛 斛彦生 朱紫康 银军 默江辉
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 内匹配 S波段 功率 高效率
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 论述
• 页码范围: 260-261
• 页数: 2页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 1731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4222.2019.03.168

摘要

基于自主研发的0.5μm工艺高压GaN HEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效率内匹配功率器件,大幅度提升了设计的精确度和效率.本文设计的功率管在2.7~3.2GHz,脉宽3ms,占空比30%,VDS=28V下实现输出功率大于230W,功率附加效率大于60%,功率增益大于12.6dB的增益指标,具备工程化应用的条件,具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	18	2.0	4.0
2	余若祺	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	15	2.0	3.0
3	斛彦生	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	12	2.0	3.0
4	银军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0
5	默江辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	22	1.0	4.0
6	朱紫康	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0