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摘要:
对胶体球光刻中单层胶体晶体(MCC)的曝光特性进行了研究.利用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上生长SiO2薄膜并旋涂光刻胶,通过固液界面自组装的方法在光刻胶上制备了单层胶体晶体.胶体球光刻利用单层胶体晶体作为微透镜阵列,通过紫外曝光的方法在光刻胶上制备微孔阵列.光刻胶上图形的周期性与胶体球的直径有关,并且大直径的胶体球的聚光性能要强于小直径胶体球,在曝光过程中随着曝光时间的增加,由于曝光量的增加以及光刻胶的漂白现象,光刻胶上微孔的尺寸也在增加.最后以曝光后的光刻胶为掩膜,将感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)以及湿法腐蚀相结合,制备出了图形化蓝宝石(PSS)衬底.
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文献信息
篇名 对胶体球光刻中单层胶体晶体曝光特性的研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 胶体球光刻 单层胶体晶体(MCC) 曝光特性 刻蚀 图形化蓝宝石衬底(PSS)
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 半导体制造技术
研究方向 页码范围 38-42
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学电子信息工程学院 180 759 13.0 18.0
2 马文静 河北工业大学电子信息工程学院 15 3 1.0 1.0
3 陈春梅 河北工业大学电子信息工程学院 4 0 0.0 0.0
4 田树盛 河北工业大学电子信息工程学院 3 0 0.0 0.0
5 滕世豹 河北工业大学电子信息工程学院 2 0 0.0 0.0
6 刘海萍 河北工业大学电子信息工程学院 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
胶体球光刻
单层胶体晶体(MCC)
曝光特性
刻蚀
图形化蓝宝石衬底(PSS)
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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