C波段160W连续波GaN HEMT内匹配功率器件研制

• 作者: 吴家锋 徐全胜 赵夕彬 银军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 内匹配 功率合成 阻抗变换
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.005

摘要

基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了一款C波段160 W连续波GaNHEMT内匹配功率器件.通过优化管芯的结构,设计出了满足连续波使用要求的大功率GaN管芯,然后进行了内匹配器件的设计,在设计中首先采用负载牵引法进行了器件参数提取,并以此为基础设计了阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成.研制出了工作频率为4.4～5.0 GHz、工作电压32 V、连续波输出功率大于160 W、功率附加效率大于50％、功率增益大于12 dB的GaNHEMT内匹配功率管,具有广阔的工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵夕彬	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	40	3.0	6.0
2	银军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0
3	吴家锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	3	1.0	1.0
4	徐全胜		1	0	0.0	0.0