氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO2气敏性能研究

• 作者: 周立伟 强晓永 秦岳 胡明 赵博硕
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 气体传感器 复合结构 多孔硅 氧化钨 二氧化氮
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 167-171,189
• 页数: 6页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 3510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2019.02.002

摘要

针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO2 气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO3 纳米线,制备出WO3 纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器.对WO3 纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO2 的气敏特性.结果表明,制备WO3纳米线的最佳热处理条件是700 ℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO3 纳米线的生长密度.所制备的传感器对NO2 气体表现出反型气敏响应,特别是溅射1 min金属钨的样品显示出优异的NO2 室温探测能力与选择性,对4×10-6 NO2的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的5.8倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学微电子学院	139	1336	19.0	28.0
2	赵博硕	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
3	强晓永	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
4	秦岳	天津大学微电子学院	2	4	1.0	2.0
5	周立伟	天津大学微电子学院	2	1	1.0	1.0