Cr薄膜沉积速率对AlGaInP发光二极管电压的影响

• 作者: 朱迪 肖和平
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜沉积速率 金属薄膜 晶粒尺寸 残余应力 正向电压
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 823-827
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.05.024

摘要

研究了在Si基片上沉积Cr薄膜的沉积速率对薄膜残余应力、晶粒尺寸的影响,并进一步讨论薄膜电阻率与残余应力、晶粒尺寸的关系,该电阻率主要由电子在薄膜晶粒内运动及穿越薄膜晶界运动受到阻力而形成.结果表明:薄膜电阻率随残余应力、晶粒尺寸的增加而变小.基于这一实验结果可以改善AlGaInP的LED正向工作电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖和平		11	11	3.0	3.0
2	朱迪		3	0	0.0	0.0