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超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计
超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计
作者:
刘文其
孙婷婷
宾峰
肖南
葛玲
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超导接收前端
高电子迁移率晶体管
偏置电源
电控组件
摘要:
超导接收前端以超导滤波器和高电子迁移率晶体管(HEMT)低温放大器构成核心微波电路,其HEMT放大器在低温下拥有极低的工作噪声,但对偏置供电的要求很高,只有在特定偏置下,系统才拥有最佳的工作稳定度、高增益和低噪声.本文针对多信道超导接收前端,设计了一种多通道、模块化,带程控通讯的超导接收前端用HEMT低噪放电控组件,为设备核心射频通道提供供电、切换和远程控制.其供电偏置可调、供电纹波≤3 mV,并提供多路TTL电平接口,支持RS485数据通讯控制,便于模块化安装,在超导接收前端分机中工作状况良好.
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篇名
超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计
来源期刊
低温与超导
学科
工学
关键词
超导接收前端
高电子迁移率晶体管
偏置电源
电控组件
年,卷(期)
2019,(8)
所属期刊栏目
超导技术
研究方向
页码范围
42-47
页数
6页
分类号
TN850.8
字数
语种
中文
DOI
10.16711/j.1001-7100.2019.08.009
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
超导接收前端
高电子迁移率晶体管
偏置电源
电控组件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温与超导
主办单位:
中国电子科技集团公司第十六研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-7100
CN:
34-1059/O4
开本:
16开
出版地:
安徽省合肥市濉溪路439号安徽合肥市1019信箱
邮发代号:
26-40
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
3386
总下载数(次)
10
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