5G基站:PA数倍增长GaN大有可为

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 功率放大器 射频器件 GAN PA
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（3）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.5

摘要

5G基站,射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三个扇区,对应的PA需求量为12个,5G基站,预计64T64R将成为主流方案,对应的PA需求量高达192个,PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。