基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究

• 作者: 张磊 杨军 石浩
• 来源期刊: 信息化研究
• 学科: 工学
• 关键词: 全固态调制器 氮化镓晶体管 超窄脉冲 高压脉冲 直耦变压器
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 45-50,56
• 页数: 7页
• 分类号: TN952
• 语种: 中文

摘要

随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势.文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的高压调制器中,进行了基于GaNFET的调制器拓扑与控制研究.文章简要介绍了调制器的技术指标,阐述了调制器的拓扑结构和工作原理,进行了仿真与试验并给出了仿真波形和测试波形,在超窄脉冲调制器研究方面取得了突破,成功研制了脉冲幅度10 kV、脉冲宽度50～100 ns、前沿小于50 ns的超窄脉冲高压脉冲调制器,并应用在W波段磁控管发射机上,对其未来应用前景作出了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨军		11	56	5.0	7.0
2	石浩		5	7	2.0	2.0
3	张磊		3	0	0.0	0.0