23～47GHz宽带BiCMOS低噪声放大器设计

• 作者: 冷思明 张浩 王科平
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: 5G 宽带 毫米波 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201906009

摘要

针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求,设计了一款超宽带低噪声放大器,频率覆盖23～47GHz.采用T型电感并联峰化技术,实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展,在相同功耗下,带宽可大幅提升.该放大器采用0.13 μm BiCMOS工艺设计实现,芯片面积0.42 mm×0.85 mm.测试结果表明,该低噪放在频率23 ～47GHz范围内,增益大于22 dB,S11和S22均小于-7dB,噪声系数2.6～3.8 dB,输入1 dB压缩点大于-15 dBm,在1.2V电源电压下,芯片整体功耗仅12 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张浩	中国电子科技集团公司第十四研究所	22	27	3.0	5.0
2	王科平	东南大学射频与光电集成电路研究所	12	103	5.0	10.0
3	冷思明		1	0	0.0	0.0