基于划刻实验的单晶锗材料去除机理研究

• 作者: 李芮 杨晓京 罗良 耿瑞文 谢启明
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶锗 纳米划刻实验 表面形貌 材料去除 弹性回复 脆塑转变
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 867-872
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20180500

摘要

采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验,利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测,根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种,对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究.使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合,并利用相关系数检验拟合函数可靠性,结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性.同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势,结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右.基于脆塑转变临界载荷,以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志,首次结合工件已加工表面弹性回复,提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型,其脆塑转变临界深度为489 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓京	昆明理工大学机电工程学院	115	997	17.0	28.0
2	谢启明		8	70	4.0	8.0
3	罗良	昆明理工大学机电工程学院	9	3	1.0	1.0
4	耿瑞文	昆明理工大学机电工程学院	7	7	2.0	2.0
5	李芮	昆明理工大学环境科学与工程学院	4	7	2.0	2.0