硒化温度对SnSe2薄膜材料性能的影响

• 作者: 孙铖 林宇星 沈鸿烈 陶海军 高凯
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜材料 SnSe2薄膜 硒化温度 光学带隙
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 523-527,533
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.015

摘要

采用射频磁控溅射加硒化的两步法在超白玻璃衬底上生长SnSe2薄膜,采用XRD、光学透过谱、Raman光谱、XPS和SEM等方法对薄膜进行性能表征.通过设置不同的硒化温度,研究不同硒化温度对所得薄膜相结构、物相与组分、表面形貌等性能的影响.结果 表明:350℃,40 min硒化所得薄膜为片状晶粒,光学带隙为1.46 eV,相结构和均匀性等性能在该硒化条件下均为最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶海军	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	42	544	14.0	22.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	93	264	9.0	10.0
3	孙铖	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	高凯	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	林宇星	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	2	0	0.0	0.0