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摘要:
忆容器是一种具有记忆性的非线性电容,为研究忆容器的电路特性,提出了一种压控型忆容器的二次曲线模型,利用电流反馈型运放等器件构建了能够动态模拟忆容器q-v特性的仿真器.通过仿真和实验观测到忆容器的滞回曲线,以及随外加激励频率增加而收缩的特性.分析了周期性激励信号的参数对忆容值取值范围的影响,并对忆容器的非易失性和平衡点的稳定性进行了研究.基于该忆容仿真器设计了一种多谐振荡器,分析了振荡器的工作原理,对振荡器的输出电压、忆容器的端电压、忆容器的磁通和电荷,以及忆容器的滞回曲线进行了测试.通过实验中观测到的各种振荡波形,分析了振荡器的频率、占空比以及忆容器的非线性特性随电路参数变化的规律.
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文献信息
篇名 忆容器多谐振荡器及其实验
来源期刊 物理学报 学科
关键词 忆容器 非易失性 多谐振荡器
年,卷(期) 2019,(22) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 397-408
页数 12页 分类号
字数 6128字 语种 中文
DOI 10.7498/aps.68.20190849
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王光义 杭州电子科技大学电子信息学院 82 616 12.0 22.0
2 顾梅园 杭州电子科技大学电子信息学院 6 6 2.0 2.0
3 刘敬彪 杭州电子科技大学机械工程学院 109 731 13.0 21.0
4 李付鹏 杭州电子科技大学电子信息学院 6 3 1.0 1.0
5 梁燕 杭州电子科技大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
忆容器
非易失性
多谐振荡器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
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35
总被引数(次)
174683
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