显微红外测温中功率器件的边缘效应及其修正

• 作者: 丁立强 刘岩 李灏 梁法国 翟玉卫 邹学锋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 显微红外热成像 边缘效应 发射率 位移 测温误差 功率器件
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 983-988
• 页数: 6页
• 分类号: TN307
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.12.014

摘要

针对显微红外热成像中对功率器件进行测温时边缘效应引起的测温误差,提出了采用精密位置调节装置进行修正的方法.分析了显微红外测温中边缘效应产生的原因,认为热膨胀等因素造成了被测功率器件表面两种不同发射率的材料与显微红外热像仪相对位置发生改变,并在两种材料的边缘区域导致明显的测温误差.在理论分析的基础上提出了判断被测件与显微红外热像仪相对位置改变方向的方法,并用显微红外热像仪进行了实验验证.根据被测件表面不同材料的发射率以及测温误差的正负可以判断被测件位置改变的方向,采用精密位移装置补偿这一位置改变即可有效消除边缘效应引起的测温误差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
2	翟玉卫	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	64	4.0	6.0
3	刘岩	中国电子科技集团公司第十三研究所	28	43	4.0	4.0
4	邹学锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	73	2.0	5.0
5	丁立强	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	5	1.0	2.0
6	李灏	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	0	0.0	0.0