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分散微热源合成β-SiC过程温度场变化规律
分散微热源合成β-SiC过程温度场变化规律
作者:
楚芳芳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
分散微热源
β-SiC
温度场
摘要:
主要介绍分散微热源碳化硅合成炉的合成原理,同时对分散微热源合成β-SiC过程中能量的扩散规律进行研究.结果表明:采用分散热源降低单个热源供电功率的方法,可以有效降低总的供电功率,同时合成炉内温度场更加均匀,相比于传统的单热源合成炉温度的上升速率更加均匀平缓,从而有效保证了β-SiC的合成.
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关键词热度
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文献信息
篇名
分散微热源合成β-SiC过程温度场变化规律
来源期刊
工业炉
学科
工学
关键词
分散微热源
β-SiC
温度场
年,卷(期)
2019,(1)
所属期刊栏目
实验研究
研究方向
页码范围
12-14
页数
3页
分类号
TQ052.6
字数
1637字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-6988.2019.01.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
楚芳芳
陕西铁路工程职业技术学院建筑工程系
13
7
2.0
2.0
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引文网络
引文网络
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分散微热源
β-SiC
温度场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
工业炉
主办单位:
机械工业第五设计研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-6988
CN:
12-1118/TB
开本:
大16开
出版地:
天津市南开区长江道71号
邮发代号:
6-79
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
2270
总下载数(次)
5
总被引数(次)
6370
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