基于InGaAs/InP探测器的单光子探测电路研究

• 作者: 周子昂 羊毅 郝培育
• 来源期刊: 电光与控制
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子探测 单光子雪崩二极管 淬灭电路 正弦门控滤波法
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 工程应用
• 页码范围: 105-110
• 页数: 6页
• 分类号: TN958.98
• 字数: 3985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-637X.2019.11.022

摘要

单光子探测技术利用单个光子作为信息载体,可以突破现有激光探测极限,是目前国内外应用基础研究的热点.采用InGaAs/InP APD(Avalanche Photodiode)探测1064 nm激光时,存在较大的暗计数和后脉冲概率,影响探测的准确率.对比分析了3种淬灭方式对单光子探测电路性能的影响,门控淬灭相比被动淬灭和主动淬灭有更小的死时间,对暗计数和后脉冲概率有更好的抑制作用.针对门控淬灭方式对比研究了正弦门控滤波法、自差分法、双APD平衡法和电容平衡法4种方案,以有效降低门控信号产生的尖峰噪声.通过对正弦门控滤波法探测电路的优化设计与调试,探测电路的死时间为9.3 ns,在9％的探测效率下暗计数率为1.64×10-6/ns,后脉冲概率为3％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	羊毅	中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所	13	65	4.0	8.0
2	郝培育	中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所	9	9	2.0	3.0
3	周子昂		1	0	0.0	0.0