InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

• 作者: 丁颜颜 刘斌 周文洪 张传杰 张舟 李云涛 杨煜 汪良衡 谭必松 雷华伟
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSbⅡ类超晶格 640×512 长波红外 焦平面探测器
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 731-734
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1501字
• 语种: 中文

摘要

武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器.在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器.在77 K时,器件的50％截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6％,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2mK,且有效像元率达99.71％.本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性.