损伤恢复机制对3D NAND闪存保持特性的影响

• 作者: 张瑜 李春龙 艾迪 邹兴奇 霍宗亮 靳磊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3D NAND闪存 保持特性 耐久性 损伤恢复 存储器可靠性
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 783-788
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.10.003

摘要

在3D NAND闪存的分布式编程擦除循环实验中发现,存储单元的保持特性随着编程擦除循环周期间隔的增加而改善.对实验数据的分析表明,编程擦除循环周期间隔中发生了损伤恢复,且在损伤恢复的两个机制中,氧化层电荷选出对保持特性的改善起主要作用,而非界面陷阱修复.这说明,氧化层电荷选出对于3D NAND闪存的保持特性有着重要影响.此外还发现,由于连续的电荷存储层所导致的电荷横向散布,损伤恢复对3D NAND闪存保持特性的影响与存储单元的编程模式有关.综上,损伤恢复机制是影响3D NAND闪存保持特性的一个重要因素,需要在产品的可靠性表征中予以考虑.