用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料

• 作者: 付莉杰 王丽 王阳 田树盛 邵会民 陈春梅 黄子鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟(InP) 晶体生长 Fe掺杂 半绝缘 辐射探测器
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 956-960
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.012.010

摘要

基于半绝缘InP衬底的辐射探测器在X射线成像领域有着广阔的应用前景.半绝缘InP衬底中Fe的掺杂量对InP基辐射探测器的性能有一定的影响.通过液封直拉(LEC)法和垂直梯度凝固(VGF)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶,并对普通Fe掺杂(0.3 g/kg)和低Fe掺杂的InP单晶的电参数特性、光学特性及辐射特性等方面进行了研究.测试数据表明VGF生长的InP单晶的位错密度小于500 cm-2,缺陷非常少.但VGF必须使用多晶InP作为原料,Fe的掺杂量不能低于0.3 g/kg,造成晶体中的杂质含量较高.低Fe掺杂LEC生长的InP单晶的掺杂量只有普通掺杂的一半,经过退火,低Fe掺杂LEC生长的InP的电阻率达到4.9×107 Ω·cm,迁移率达到4 410 cm2·V-1·s-1,位错密度小于1×104 cm-2,显示出了较好的半绝缘特性且晶体质量良好.使用低Fe掺杂半绝缘InP制成的辐射探测器显示出了良好的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付莉杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0
2	陈春梅	河北工业大学电子信息工程学院	4	0	0.0	0.0
3	王阳	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	5	2.0	2.0
4	邵会民	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	12	1.0	2.0
5	王丽		1	0	0.0	0.0
6	田树盛	河北工业大学电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0
7	黄子鹏	河北工业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0