纳米Si薄膜生长及其Monte-Carlo模拟

• 作者: Hafiz Shehzad Ahmed 赵红东 韩铁成
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅(Si) 纳米材料 薄膜生长 脉冲激光沉积(PLD) Monte-Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 674-677
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|TN304.055
• 字数: 2338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.08.013

摘要

在玻璃衬底到靶的不同水平距离W(0.5、0.8和1.3 cm)条件下,使用脉冲激光沉积(PLD)方法分别制备了纳米Si薄膜.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,在三种样品上形成的纳米Si颗粒尺寸会随W的增加而增大.为了解释该现象,使用Monte-Carlo方法模拟了薄膜生长.对粒子相互作用范围α和最大行走步长进行实验和筛选,当α取2时,随着粒子在衬底上最大行走步长的增大,薄膜生长方式从分散生长转化为簇状生长.仿真结果表明粒子岛的平均尺寸呈逐渐增大趋势,这与实验结果具有良好的一致性.因此,随着W的增加,Si原子落到衬底上时更大的初始动能是导致纳米Si颗粒尺寸增大的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵红东	河北工业大学电子信息工程学院	88	427	10.0	17.0
2	Hafiz Shehzad Ahmed	河北工业大学电子信息工程学院	2	6	1.0	2.0
3	韩铁成	河北工业大学电子信息工程学院	2	6	1.0	2.0