基于SiC MOSFET的多芯片并联功率模块 不均流研究

• 作者: 王莉 阮立刚 马建林
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多芯片功率模块 并联不均流 功率模块布局 固态功率控制器
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电机驱动
• 页码范围: 193-200
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 4345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.4.193

摘要

针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(sili-con carbide)MOSFET的并联不均流进行了研究.理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响.在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真.仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莉	南京航空航天大学自动化学院	98	885	16.0	27.0
2	阮立刚	南京航空航天大学自动化学院	8	28	3.0	5.0
3	马建林	南京航空航天大学自动化学院	1	0	0.0	0.0