MEMS铜基微同轴传输线性能仿真及测试

• 作者: 史光华 周彪 徐达 王建 胡松祥
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 微同轴传输线 直通-反射-传输线(TRL)校准 插损 隔离度
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 644-648,673
• 页数: 6页
• 分类号: TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.08.008

摘要

研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统.设计了特性阻抗为50 Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC～110 GHz内低于1.15.且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB.采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC～40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡松祥	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0
2	王建	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	13	2.0	3.0
3	史光华	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	0	0.0	0.0
4	徐达	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	9	2.0	2.0
5	周彪	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	2	1.0	1.0