β-Ga2O3体单晶X射线光电子能谱分析

• 作者: 张胜男 徐永宽 程红娟 练小正 金雷
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3晶体 导模法 X射线光电子能谱分析 特征峰
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 2480字
• 语种: 中文

摘要

通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2 O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2 O3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga2O3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga2 O3体单晶特征峰峰值.同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
3	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
4	金雷	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0
5	张胜男	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	5	1.0	1.0