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摘要:
基于GaAs 0.1μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片.采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度,进而实现电路结构的小型化;利用曲折线的方式构成开路枝节线,使得耦合器的物理尺寸进一步缩小.采用电磁仿真软件仿真表明,所设计的小型化定向耦合芯片中心工作频率为0.12 THz,相对带宽大于30%,带内的回波损耗高于20 dB,带内插入损耗小于1 dB,耦合度为(10±0.5)dB,带内隔离度大于20 dB,直通端口与耦合端口相位差为90°±3.5°,其尺寸为0.21 mm×0.19 mm(不计Pad尺寸).
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文献信息
篇名 一种D波段小型化定向耦合器芯片设计
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 砷化镓 小型化 定向耦合器 开路枝节 曲折线
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 太赫兹科学技术
研究方向 页码范围 353-358
页数 6页 分类号 TN622
字数 1390字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201903.0353
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定向耦合器
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太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
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