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摘要:
SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要.针对传统双电源阻容RC(resistance-capacitance)驱动电路的不足,设计了一种双电源阻性时序驱动电路.该驱动电路由开通支路、稳态支路和关断支路3个支路组成,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制3个驱动支路.该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路相比较,其驱动损耗减小很多.为了验证新驱动电路的优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样板,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能.
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文献信息
篇名 SiC BJT的新型高速低损驱动电路设计
来源期刊 电源学报 学科 工学
关键词 SiCBJT 驱动电路 高速低损耗 阻容基极驱动电路 阻性时序基极驱动电路
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 功率器件
研究方向 页码范围 178-184
页数 7页 分类号 TM92
字数 4540字 语种 中文
DOI 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.2.178
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 秦海鸿 南京航空航天大学自动化学院 99 729 14.0 23.0
2 余俊月 南京航空航天大学自动化学院 3 0 0.0 0.0
3 刘清 南京航空航天大学自动化学院 1 0 0.0 0.0
4 李友 南京航空航天大学自动化学院 1 0 0.0 0.0
5 文谦 南京航空航天大学自动化学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiCBJT
驱动电路
高速低损耗
阻容基极驱动电路
阻性时序基极驱动电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
双月刊
2095-2805
12-1420/TM
大16开
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
2002
chi
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6
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6404
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