沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响

• 作者: 于成磊 于龙宇 刘孟杰 段赛赛 王伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 沉积温度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 牺牲层Ni 图形化
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 553-557
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.18
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.012

摘要

研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量.在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜.去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响.结果 表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	河北工业大学电子信息工程学院	50	144	7.0	10.0
3	于龙宇	河北工业大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
9	刘孟杰	河北工业大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
10	于成磊	河北工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0
14	段赛赛	河北工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0