Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理

• 作者: 刘军林 吴小明 徐帅 江风益 王光绪 郭醒
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ag/p-GaN接触 牺牲Ni处理 Ni插入层 表面费米能级
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 865-870
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|O484.4
• 字数: 1976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194007.0865

摘要

采用"牺牲Ni处理"的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理.利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究.结果表明,牺牲Ni处理后p-GaN表面仍会残留少量的Ni并以Ni2 O3的形式存在;p-GaN表面Ga 2p3结合能峰位朝低能方向移动了0.3 eV,提高了Ag/p-GaN间的欧姆接触性能.我们认为,界面处的Ni会优先和p-GaN表面Ga2 O3氧化物中的O结合形成Ni2 O3,进而降低了p-GaN表面费米能级,提高了Ag/p-GaN之间的欧姆接触性能.