射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响

• 作者: 岳兰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ZTO薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 电学性能 光学性能
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 661-664,670
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.05.011

摘要

使用射频磁控溅射法,基于不同溅射功率(58、79、116、148和171 W)条件在玻璃基底上室温制备了Zn-Sn-O(ZTO)薄膜,并探讨了溅射功率对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响.结果 表明,提高溅射功率有助于提升薄膜的沉积速率;XRD分析表明不同溅射功率条件下制备的ZTO薄膜均具备稳定的非晶结构;随着溅射功率的增加,薄膜的电阻率下降,光学吸收边“红移”(光学禁带宽度从3.77 eV减小到3.62 eV);整体来看,在58～148W溅射功率范围内制备的ZTO薄膜具备较好的可见光透明性,其在380～780 nm可见光范围内的平均透过率均超过85％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳兰	贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室	5	1	1.0	1.0