基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析

• 作者: 何玉娟 刘远 章晓文
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 531-536
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.008

摘要

随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据.采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况.通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	13	39	4.0	5.0
2	刘远	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	6	20	2.0	4.0
3	何玉娟	西安电子科技大学微电子学院	5	17	2.0	4.0