InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

• 作者: 刘彦峰 方文卿 李春 杨岚 杨超普 毛清华 阳帆
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 多量子阱 发光二极管 外延 光致发光
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 891-897
• 页数: 7页
• 分类号: O433.4|TN312+.8
• 字数: 3377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194007.0891

摘要

利用MOCVD在Al2 O3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片.以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱.通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性.研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长.以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考.