基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

• 作者: 彭龙新 王溯源 章军云 黄念宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 248 nm扫描光刻机 烘胶工艺 X波段 GaAs 单片限幅低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0811

摘要

报道了一种0.15 μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案.利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证.微波测试结果显示,在7～13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄念宁		13	32	4.0	5.0
2	彭龙新		21	143	7.0	11.0
3	章军云		4	4	1.0	2.0
4	王溯源		2	1	1.0	1.0