掺杂对BiFeO3薄膜电、磁特性影响综述

• 作者: 买买提热夏提·买买提 吴钊峰 吾尔尼沙·依明尼亚孜 阿比迪古丽·萨拉木
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁酸铋(BiFeO3) 薄膜 铁电性 磁性 离子掺杂
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 无机非金属及其复合材料
• 页码范围: 791-796
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4+1|O484.4+3
• 字数: 4601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/cldb.201905010

摘要

随着科技的高速发展,多铁性材料已经成为传感器、微波器件、数据存储、自旋电子学及太阳能电池等领域的研究热点,在智能材料与器件方向显示出可观的应用潜力.BiFeO3及其衍生的一系列材料Bi1-xAxFeO3(A=La,Nd,Sm)、BiFexB1-xO3(B=Ni,Mn,Co)的发现使得多铁性材料获得了更迅猛的发展.这类材料属于单相钙钛矿氧化物型多铁材料,在室温以上同时具有铁电、压电、介电、电光、铁磁、光伏、磁电耦合、光催化等效应.BiFeO3作为一种单相多铁性材料,与同类的多铁性材料相比,其具有较高的居里温度、尼尔温度以及较小的光学禁带宽度和较好的化学稳定性等特点.然而,在制备BiFeO3的过程中,部分Fe3+向Fe2+转变,并且铋元素熔点较低容易挥发,产生大量的氧空位,造成漏电流较大,很难得到具有较高剩余极化强度的样品;并且BFO薄膜室温下弱的磁性等性质使其实际应用受到极大的限制.多年来国内外学者致力于改善制备条件和参数,使用更先进的制备方法,改用更合适的衬底材料及进行离子掺杂等,以制备多层复合薄膜.其中,离子掺杂时减小漏电流,提高铁电性及室温磁性方面的效果最为理想.各国研究者已经制备出比纯BiFeO3材料性能更好的掺杂和复合BiFeO3材料.在不同的位置掺杂多种元素较掺杂单一元素能更好地改善材料的性能.最新报道的采用溶胶-凝胶法制备的多个混合掺杂离子Bio.88 Sr0.03 Gdo.09 Feo.94 Mno.04 Co0.02 O3薄膜的剩余极化强度增加到108 iC/cm2,显著高于La、Mn、Zn等元素单掺杂得到的极化强度(69.47 μC/cm2).同时,掺杂BiFeO3薄膜的磁化强度比纯BiFeO3薄膜提高了3～4倍.这可能是源于:掺杂离子抑制Bi3+的挥发和Fe3+的还原,减小氧空位和缺陷浓度,从而减小漏电流,进一步改善BiFeO3薄膜的铁电性能;掺杂离子也会导致结构的畸变而打破其螺旋磁结构,从而产生较强的室温磁性.本文首先简单介绍了BiFeO3材料的结构及其掺杂元素的种类,然后讨论了A位、B位和AB位共掺杂离子对提高BiFeO3薄膜弱的室温磁性以及减小漏电流、提高铁电性产生的影响,并进一步分析了产生影响的原因,最后提出了未来研究工作的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	买买提热夏提·买买提	新疆大学物理科学与技术学院	33	54	4.0	6.0
2	吾尔尼沙·依明尼亚孜	新疆大学物理科学与技术学院	5	3	1.0	1.0
3	吴钊峰	新疆大学物理科学与技术学院	4	3	1.0	1.0
4	阿比迪古丽·萨拉木	新疆大学物理科学与技术学院	4	3	1.0	1.0