0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究

• 作者: 周昕杰 周晓彬 姚进 殷亚楠 花正勇 陈瑶 马艺珂
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: FD-SOI 仿真 辐射 单粒子 LET 偏置
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-38,43
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0810

摘要

利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13 ιm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响.结果 表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度.受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感.单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周昕杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	13	24	3.0	3.0
2	陈瑶	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	4	1.0	1.0
3	花正勇	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	2	1.0	1.0
4	殷亚楠	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	2	1.0	1.0
5	马艺珂	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0
6	姚进	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	0	0.0	0.0