边发射半导体激光器光纤耦合技术研究进展

• 作者: 严雄伟 肖凯博 荆玉峰 蒋新颖 郑建刚
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 半导体激光器 光束整形 光纤耦合 高功率
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 641-650
• 页数: 10页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2019.06.001

摘要

随着半导体材料生长工艺和封装技术等的快速发展,高功率、高亮度半导体激光器的性能不断提升,使之在工业加工、生物医疗、国防以及作为光纤和固体激光器泵浦源等方面有着重要作用.近些年来,边发射半导体的功率和光束质量的提升,使得耦合到光纤的输出功率不断提高.单管光纤耦合逐渐从毫瓦级输出发展到数十瓦输出,通过偏振、光谱、空间等合束技术,甚至达到数百瓦的输出.在叠阵或多线阵光纤耦合方面,也实现了从数十瓦级输出发展到数十千瓦级输出.从单管、线阵和叠阵三种半导体激光器出发,对半导体激光器发展现状、技术进行了调研分析,对光纤耦合半导体激光器的多种整形、合束和耦合技术进行了总结和展望.