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摘要:
以树枝状钛酸钡(B-BT)/P(VDF-TrFE)复合材料为研究体系,采用有限元法计算了B-BT添加量(1~7vol.%)以及B-BT颗粒主杆与电场方向夹角(θ)对复合材料介电常数的影响,并用电场分布统计模型计算复合材料击穿场强.结果 表明,每一体积分数的介电-角度曲线是关于θ=90°对称,当B-BT颗粒的主杆平行于电场(记为B-BT||E)时,复合材料的介电常数与实验值接近,最大可达19.1;当B-BT主杆垂直于电场(记为B-BT⊥E)时,材料的击穿场强在411~452 kV/mm之间,储能密度达到9.5~11.5 J/cm3.对含单个B-BT的复合材料电位移及电场分布进行模拟,结果发现,当B-BT||E时,材料内部产生较大的电位移,B-BT颗粒尖端位置产生较大的局部电场,说明B-BT||E有利于提高材料介电常数,但不利于提高击穿场强;当B-BT ⊥E时,电位移及局部电场的情况与B-BT||E时相反.此外,设计了黑松树状钛酸钡(Bp-BT)颗粒,对Bp-BT/P(VDF-TrFE)复合材料的介电性能进行计算,发现当Bp-BT ⊥E时,材料储能密度达到10.1~12.5 J/cm3,优于B-BT/P(VDF-TrFE),表明Bp-BT有可能作为提高复合材料储能密度的备选无机材料.
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文献信息
篇名 有限元法计算树枝状BaTiO3/P(VDF-TrFE)复合材料的介电性能
来源期刊 陶瓷学报 学科 工学
关键词 有限元法 复合材料 介电性能 电场分析 电位移
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 研究与探索
研究方向 页码范围 445-450
页数 6页 分类号 TQ174.75
字数 2434字 语种 中文
DOI 10.13957/j.cnki.tcxb.2019.04.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘晓林 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室 34 268 11.0 15.0
2 朱新丰 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
3 曲鹏 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室 3 0 0.0 0.0
4 李清华 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室 1 0 0.0 0.0
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研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
陶瓷学报
双月刊
1000-2278
36-1205/TS
16开
景德镇东郊新厂景德镇陶瓷学院
44-83
1980
chi
出版文献量(篇)
2392
总下载数(次)
6
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导